Advanced Search

Show simple item record

dc.contributor.authorKose, S.
dc.contributor.authorAtay, F.
dc.contributor.authorBilgin, V.
dc.contributor.authorAkyuz, I.
dc.date.accessioned2015-02-23T12:51:14Z
dc.date.available2015-02-23T12:51:14Z
dc.date.issued2004
dc.identifier.issn13023160
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11421/1513
dc.description.abstractThe most used semiconductor window material in heterojunction solar cells is undoped and doped CdS. In this work, Cd₁₋ᵪSnᵪS (0≤x≤0.4) films were deposited by ultrasonic spray pyrolysis technique at a substrate temperature of 300±5 °C and the effect of Sn incorporation on the film properties is presented. It was determined that the resistivity values of the produced films are between 3.62x10²-1.76x10⁷ Ω cm in dark and air and the high resistivity of CdS films decreased by Sn doping. The investigations on the electrical properties also showed that CdS and Cd₀.₈Sn₀.₂S films have a trapped structure. The forbidden energy gaps were found as 2.43-2,44 eV by using the optical method. The transmittance value of CdS film increased when doped with Sn (x=0.2). The surface morphologies of the films were investigated by Metallurgical Optical Microscope and it was determined that the most homogeneous surface was seen in Cd₀.₈Sn₀.₂S films. Sn doped CdS films can be used as window materials like CdS films in photovoltaic solar cells.en_US
dc.description.abstractHeteroeklem güneş pillerinde yaygın olarak kullanılan yarıiletken pencere materyali katkısız ve katkılı CdS’ dür. Bu çalışmada, Cd₁₋ᵪSnᵪS (0≤x≤0.4) filmleri 300±5 °C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile çöktürülmüştür ve film özellikleri üzerine Sn katkısının etkisi verilmiştir. Üretilen filmlerin özdirenç değerlerinin karanlıkta ve havada 3.62x10²-1.76x10⁷ Ω cm arasında olduğu ve CdS filmlerinin yüksek özdirencinin Sn katkılanarak azaldığı belirlenmiştir. Elektriksel özellikler üzerindeki incelemeler aynı zamanda CdS ve Cd₀.₈Sn₀.₂S filmlerinin tuzaklı bir yapıya sahip olduklarını göstermiştir. Yasak enerji aralıkları optik metot kullanılarak 2,432,44 eV olarak bulunmuştur. CdS filminin geçirgenlik değeri Sn ile katkılandığında (x=0.2) artmıştır. Filmlerin yüzey morfolojileri Metaluıjik Optik Mikroskop ile incelenmiş ve en homojen yüzeyin Cd₀.₈Sn₀.₂S filmlerinde görüldüğü belirlenmiştir. Sn katkılı CdS filmleri fotovoltaik güneş pillerinde CdS filmleri gibi pencere materyali olarak kullanılabilir.en_US
dc.language.isoengen_US
dc.publisherAnadolu Üniversitesien_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectPhotovoltaic Solar Cellsen_US
dc.subjectCdS and CdS:Sn Filmsen_US
dc.subjectUltrasonic Spray Pyrolysis Techniqueen_US
dc.subjectElectricalen_US
dc.subjectOptical and Morphological Propertiesen_US
dc.subjectFotovoltaik Güneş Pillerien_US
dc.subjectCdS ve CdS:Sn Filmlerien_US
dc.subjectUltrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniğien_US
dc.subjectElektriken_US
dc.subjectOptik ve Morfolojik Özelliklerien_US
dc.titleSome Physical Properties of CdS:Sn Films Obtained by Ultrasonic Spray Pyrolysis Techniqueen_US
dc.title.alternativeUltrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği İle Elde Edilen CdS:Sn Filmlerinin Bazı Fiziksel Özelliklerien_US
dc.typearticleen_US
dc.relation.journalAnadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi A - Uygulamalı Bilimler ve Mühendisliken_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kategorisizen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record