Advanced Search

Show simple item record

dc.contributor.advisorZor, Muhsin
dc.contributor.authorGürcan, Yeşim
dc.date.accessioned2007-04-04T14:42:24Z
dc.date.available2007-04-04T14:42:24Z
dc.date.issued2006
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11421/5101
dc.descriptionTez (doktora) - Anadolu Üniversitesien_US
dc.descriptionAnadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionKayıt no: 353073en_US
dc.description.abstractBu çalışmada, II-IV bileşiklerinden olan ZnxCd1-xO ve In katkılı ZnxCd1-xO yarıiletken filmlerinin bazı elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Filmler püskürtme yöntemiyle (spray-pyrolysis) cam tabanlar üzerinde elde edilmişlerdir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen katkılı ve katkısız filmlerin kübik veya hekzagonal yapıda ve polikristal oldukları saptanmıştır. XRD sonuçları, tercihli yönelmelerin, CdO ve ZnO konsantrasyonuna bağlı olduğunu göstermektedir. Filmlerin yasak enerji aralığının direkt bant geçişli olduğu ve değerlerinin 2.25-3.3eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Bütün filmlerin n-tipi iletkenlik gösterdikleri belirlenmiş ve I-V karakteristiklerinden ohmik iletim mekanizmasına sahip oldukları gözlenmiştir. Hesaplanan iletkenlik değerlerinin katkısız ve katkılı ZnxCd1-xO filmler için sırasıyla 5x10­-³-3.7x10-6 (Wcm) ve 1.2x10-³-4x10-³ (Wcm)-¹ arasında değiştikleri bulunmuştur.en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherAnadolu Üniversitesien_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectBileşik yarıiletkenleren_US
dc.subjectİnce filmleren_US
dc.subjectSpray Pyrolysisen_US
dc.titlePüskürtme yöntemiyle elde edilen In katkılı Znx Cd1-xO filmlerinin elektriksel ve optik özelliklerien_US
dc.typedoctoralThesisen_US
dc.contributor.departmentFen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.identifier.startpageXIII, 110 y. : resim + 1 CD-ROM.en_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record