$Zn (In_2S_3)S$ yarıiletken filmlerinin optik absorpsiyonu

Abstract

Bu çalışmada spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen $Zn (In_2S_3)S$ yapısındaki yarıiletken bileşiğinin, oda sıcaklığında çekilen optik spektrumlarından, yasak enerji aralıkları 2,65-3,00eV olarak hesaplanmış ve direkt geçişli bant yapısına sahip oldukları belirlenmiştir.

In this study, the energy gap values of $Zn (In_2S_3)S$ compound semiconductor films produced by means of spray pyrolysis method are calculated to be 2.65-3.00eV from optical absorption spectrum of films at room temparature.