| dc.contributor.advisor | Tıraş, Engin | |
| dc.contributor.author | Yazıcı, Esra | |
| dc.date.accessioned | 2011-11-15T11:29:25Z | |
| dc.date.available | 2011-11-15T11:29:25Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.uri | | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11421/5256 | |
| dc.description | Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi | en_US |
| dc.description | Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı | en_US |
| dc.description | Kayıt no: 238814 | en_US |
| dc.description.abstract | Bu tezde oda sıcaklığında InN veGa?-xInxNyAs?-y örneklerde kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans frekans (C-f) ölçümleriyapıldı.Deneylerdekullanılan örneklerMolecular Beam Epitaxy (MBE) büyütme sistemi ile, Crete Üniversitesi (Yunanistan) ve LAAS-CNRS (Fransa) tarafından büyütüldü. Crete Üniversitesi’nde büyütülen InN örnekler, InN tabaka kalınlığı 1,08 ?m, 2,07 ?m ve 4,7 ?m olan hacimli (bulk) örneklerdir. LAAS-CNRS tarafından üretilen Ga?-xInxNyAs?-y kuantum kuyu örnekleri , nitrür oranı %1 ve %0.4 olan katkısız örnek, Si katkılı n-tipi (nitrür oranı % 1.5) ve Be katkılı p-tipi (nitrür oranı %1.5) örneklerdir. Kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri 1MHz frekans altında yapıldı ve elde edilen verilerle derinliğe bağlı olarak taşıyıcı konsantrasyonları elde edildi. Kapasitans frekans (C-f) ölçümleri farklı gerilimler uygulanarak gerçekleştirildi. Bu ölçümlerle örneklerin elektriksel özellikleri incelendi. | en_US |
| dc.language.iso | tur | en_US |
| dc.publisher | Anadolu Üniversitesi | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Yarıiletkenler -- Elektrik özellikler | en_US |
| dc.title | Nitrat bazlı yarıiletken nanoyapılarda kapasitans-voltaj ölçümü | en_US |
| dc.type | masterThesis | en_US |
| dc.contributor.department | Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
| dc.identifier.startpage | X, 48 y. : resim + 1 CD-ROM. | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
