Yazar "Serincan, Uğur" için listeleme
-
Characterization of a multilayer GaAs/AlGaAs broadband quantum well infrared photodetectors
Kuru, H.; Arpapay, B.; Karakulak, T.; ArıKan, Betül; Aslan, B.; Serincan, Uğur (2010)In this study, we report on the investigation of two multilayer GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors designed for 8-12 µm spectral range detection. Fabricated devices were characterized by current-voltage and ... -
Comparative evaluation of InAs/GaSb superlattices for mid infrared detection: p-i-n versus residual doping
Korkmaz, Melih; Kaldirim, Melih; Arıkan, Bülent; Serincan, Uğur; Aslan, Bülent (IOP Publishing LTD, 2015)We report on the opto-electronic characterization of an InAs/GaSb superlattice (SL) midwave infrared p-i-n photodetector structure (pin-SL) in comparison with the same structure with no intentional doping (i-SL). Both ... -
Depth profile investigations of silicon nanocrystals formed in sapphire by ion implantation
Yerci, S.; Yıldız, I.; Kulakcı, Mustafa; Serincan, Uğur; Barozzi, M.; Bersani, M.; Turan, R. (Amer Inst Physics, 2007)Depth profiles of Si nanocrystals formed in sapphire by ion implantation and the effect of charging during X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) measurements have been studied. ... -
Direct growth of type II InAs/GaSb superlattice MWIR photodetector on GaAs substrate
Serincan, Uğur; Arıkan, Bülent; Şenel, Onur (Academic Press LTD- Elsevier Science LTD, 2018)We report on the direct growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattice (T2SL) MWIR photodetector structure grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy. The designed photodetector structure contains ... -
Evolution of Vibrational Modes of SiO2 During the Formation of Ge and Si Nanocrystals by Ion Implantation and Magnetron Sputtering
Imer, A. Gençer; Yerci, S.; AlagÖz, A. S.; Kulakçı, M.; Serincan, Uğur; Finstad, T. G.; Turan, R. (Amer Scientific Publishers, 2010)Structural variations of SiOx matrix have been studied with Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) during the formation of Si and Ge nanocrystal. Two frequently used methods, magnetron sputtering and ion implantation ... -
GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu
Kuru, Hülya (Anadolu Üniversitesi, 2010)Bu çalışmada, 7-12 ?m tayf bölgesini algılayabilen GaAs/AlGaAs kuantum kuyu kızılötesi foto algılayıcı olarak tasarlanan yapılar araştırıldı. Aygıt haline getirilen yapılar akım-voltaj, voltaj/sıcaklık bağımlı fotolüminesans ... -
GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Karakulak, Tuğçe (Anadolu Üniversitesi, 2010)GaAs ve A1GaAs bileşikleri yüksek bağlanma gücü, ısıl kararlılık ve kolay katkılanabilme gibi özelliklere sahip olması nedeniyle kuantum kuyu yapılarında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaAs/AlGaAs kuantum kuyulu yapılarda, ... -
GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Arpapay, Burcu (Anadolu Üniversitesi, 2010)Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken kuantum kuyulu yapılar fotolitografi ve ıslak aşındırma yöntemi kullanılarak aygıt haline getirilmiştir. Aygıt üretimi için yarıiletken yapının üzerine aygıt tanımlamaları ... -
GaSb alttaş üzerine kaliteli GaSb Epi-katmanlarınbütülmesi ve karakterizasyonu
Şahin, Seval (Anadolu Üniversitesi, 2014)Moleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal ... -
Growth, Fabrication and Characterization of Quantum Dot Intermediate Band Solar Cell
Serincan, Uğur; Kuru Mutlu, Hülya; Kulakçı, Mustafa (Gazi University, 2017)Stacked layers of self-assembled InAs quantum dots were synthesized within the base region close to the back surface field of GaAs single junction n- on p-solar cell. The solar cell structure was grown epitaxially on p-type ... -
InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi
Arıkan, Bülent (Anadolu Üniversitesi, 2015)Bu tez çalışmasında, orta ve uzun dalgaboyu kızılötesi bölgelerinde gösterdikleri yüksek performans ve yüksek sıcaklık uygulamaları ile yeni nesil kızılötesi dedektör teknolojisinde öne çıkan InAs/GaSb Tip-II süperörgü ... -
Kuantum Nokta Ara Bant Oluşumlu Güneş Hücresinin Büyütülmesi, Fabrikasyonu ve Karakterizasyonu
Katmanlar arasında sıkıştırılmış kendinden oluşumlu InAs kuantum noktalar n- üzeri p-GaAs tek eklem güneş hücresinin taban kısmına yakın bir bölgesinde sentezlenmiştir. Güneş hücresi yapısı p-tipi GaAs alttaş üzerine ... -
Kuantum sınırlı safsızlık atomlarının kullanıldığı THz dedektör yapıların MBE yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Korkmaz, Güven (Anadolu Üniversitesi, 2017)Elektromanyetik tayfın Terahertz (THz) frekans bölgesinde çalışan algılayıcı sistemler çok geniş kullanım alanlarına sahiptir. Ancak sahip olduğu büyük potansiyele rağmen bu bölgede çalışan algılama sistemleri yeterli ... -
Kızılötesi dedektör uygulamaları için ınassb ve gaınassb bileşiklerinin gaas alttaş üzerine mbe tekniği ile büyütülmesi
Erkuş, Mehmet (Anadolu Üniversitesi, 2015)Bu tez çalışmasında, InAsSb ile GaInAsSb üçlü ve dörtlü bileşikleri GaAs alttaş üzerine yüksek kalitede MBE tekniği ile büyütülüp yapısal, optik ve opto-elektronik karakterizasyonları yapılmıştır. Örnekler, GaAs düzeltme ... -
On the structural characterization of InAs/GaSb type-II superlattices: The effect of interfaces for fixed layer thicknesses
Arıkan, Bülent; Korkmaz, Güven; Suyolcu, Yusuf Eren; Aslan, Bülent; Serincan, Uğur (Elsevier Science Sa, 2013)We report on the detailed epitaxial growth conditions for type-II InAs/GaSb superlattice (SL) structures designed for mid-wave infrared detection. The mismatch between the GaSb buffer and the SL is precisely controlled by ... -
Performance evaluation of InAs/GaSb superlattice photodetector grown on GaAs substrate using AlSb interfacial misfit array
Korkmaz, Melih; Arıkan, Bülent; Suyolcu, Yusuf Eren; Aslan, Bülent; Serincan, Uğur (IOP Publishing LTD, 2018)We report on the growth and opto-electronic characterization of type-II InAs/GaSb superlattice (SL) mid-wavelength infrared pin photodetector grown on a GaAs substrate. AlSb interfacial misfit array was employed at the ... -
Phonon frequency variations in high quality InAs1-xSbx epilayers grown on GaAs
Erkus, M.; Serincan, Uğur (Elsevier Science BV, 2014)Undoped InAs1-xSbx epilayers with different compositions (0.55 <= x <= 0.78) were grown by molecular beam epitaxy on semi-insulating GaAs (1 0 0) substrates. The quality of the samples was determined by high resolution ... -
Physics Is Just a Rabbit-Jump Away, Follow the White Rabbit Into the Deep Physics!': So Lets Teach Physics With Animation in Secondary Schools
Brutscher, Nazan Çelik; Serincan, Uğur (IATED-Int Assoc Technology Education A& Development, 2013)This study is a compilation study consisted of published articles in physics education for secondary school pupils and usage of animation for their development and particularly the role of using animation in physics ... -
The quantum confined Stark effect in silicon nanocrystals
Kulakçı, Mustafa; Serincan, Uğur; Turan, Raşit; Finstad, Terje G. (IOP Publishing LTD, 2008)The quantum confined Stark effect (QCSE) in Si nanocrystals embedded in a SiO(2) matrix is demonstrated by photoluminescence (PL) spectroscopy at room and cryogenic temperatures. It is shown that the PL peak position shifts ... -
Redundant Sb condensation on GaSb epilayers grown by molecular beam epitaxy during cooling procedure
Arpapay, B.; Şahin, S.; Arıkan, Bülent; Serincan, Uğur (Elsevier Science Sa, 2014)The effect of four different cooling receipts on the surface morphologies of unintentionally-doped GaSb epilayers on GaSb (100) substrates grown by molecular beam epitaxy is reported. Those receipts include three different ...
