Frequency Dependent in Zn(Ln₂s₃)S Semiconductor Films

Abstract

Zn(In₂S₃)S films have been deposited with decreasing amount of the In₂S₃ contents by the spray pyrolysis technique. The metal-semiconductor-metal systems have been produced in planar form. On the ac measurements, the conductivities were measured with respect to the frequency and it was observed that conductivities depend on the frequency in the form of ωˢ where s is 0.7. This variation of the ac conductivity is attributed to the hopping of charge carriers between the localized states. In the conductivity vs frequency characteristic of Zn(InS₁.₅)S, on the otherhand, showed that s~1.5 at higher frequencies.

Zn(In₂S₃)S yarıiletken filmleri, yapıdaki In₂S₃ miktarı azaltılarak, spray pyrolysis tekniği ile elde edilmiştir. Elektriksel ölçümler, düzlemsel formda oluşturulan metal-yarıiletken-metal yapılarda elde edilmiştir. Ac elektriksel ölçümlerle; iletkenliğin ωˢ modeline uyduğu gözlenmiş ve s değerinin 0,7 olduğu hesaplanmıştır. İletkenliğin frekansa üssel bağlılığı, iletimin serbest yükler tarafmdan lokalize durumlar arasında hopping iletim ile sağlandığının bir sonucudur. Zn(InS₁.₅)S filmindeki iletkenlik-frekans bağımlılığı yüksek frekanslarda ise s~1.5 olarak gözlenmiştir.