Yarıiletken Diyot Lazerlerinin Gelişiminde Akım Yoğunluğunun Önem ve Seyri

Abstract

İlk yarıiletken diyot lazerler, çoğunlukla galyum arsenit kristal bloklarından yapılmış p-n jonksiyonlarıdırlar. Enjekte edilen akım yoğunluğunda p-n homojonksiyon düzleminde elektron-delik birleşmesinden meydana gelen zorlanmış emisyon, malzemenin yasak bant genişliğine tekabül eden enerjilerin frekanslarında yeterli optik kazanç sağlar. Bu prensipten hareketle, tek heterojonksiyonlu, çift heterojonksiyonlu ve müteakiben kuantum çukurlu ve kuantum noktalı lazerler dizayn edilerek yarıiletken lazerlere ait akım yoğunlukları oldukça küçültülmüştür. Kuantum noktalı lazerlerde keskin lüminesans spektrum ve oldukça düşük eşik akımları elde edilmiştir.

The earliest semiconductor diode lasers are p-n junctions formed almost in cyristalline blocks of gallium arsenide. At injected current density the stimulated emission from the electron-hole recombination in the p-n homojunction plane creates the optical gain sufficiently. The current densities for the semiconductor lasers are more reduced by designing single-heterojunction, double-heterojunction, and then the quantum-well and the quantum-dot lasers, starting from this principle. In the quantum dot lasers a sharp luminescence spectrum and very low threshold currents have been obtained.