Gelişmiş Arama

Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.advisorSerincan, Uğur
dc.date.accessioned2020-06-16T07:22:49Z
dc.date.available2020-06-16T07:22:49Z
dc.date.issued2018en_US
dc.date.submitted2018
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11421/23322
dc.description.abstractGünümüzde yarıiletkenler yaygın olarak askeri, sağlık ve astronomi alanlarında kullanılmaktadır. Dedektörler, transistörler, lazerler ve güneş pilleri bu alanlardaki en yaygın kullanılan yarıiletken malzemelere örnektir. Malzemelerin aygıt haline getirilme sürecinde kullanılan yöntemler ve işlemler aygıtların verimini doğrudan etkilemektedir. Malzemelerin tek piksel aygıta dönüştürülme sürecinde, açıkta kalmış, bağ yapmamış atomlar oluşur ve bu kopuk bağlar yüzey kaçak akımları meydana getirirler. Bu bölgelerde oluşan yüzey kaçak akımları, oluşturulan pikselin performansını kötü yönde etkiler. Yüzey kaçak akımlarını baskılamak için piksellere dielektrik sabiti yüksek malzemeler ile yalıtım (pasivasyon) uygulanmalıdır. Bu çalışma kapsamında, moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş, yakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan, III-V grubu tek piksel algılayıcılarda, farklı dielektrik malzemelerin algılayıcıların performansına etkileri araştırılmıştır.en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherTez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesien_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectPasivasyonen_US
dc.subjectKızılötesi Algılayıcıen_US
dc.subjectMWIRen_US
dc.subjectNWIRen_US
dc.subjectMoleküler Demet Epitaksi (MBE)en_US
dc.titleYakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan tek piksel kızılötesi algılayıcılarda pasivasyon etkisinin incelenmesien_US
dc.typemasterThesisen_US
dc.contributor.departmentAnadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.contributor.institutionauthorŞenel, Onur


Bu öğenin dosyaları:

Thumbnail

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster