Gelişmiş Arama

Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.advisorSerincan, Uğur
dc.contributor.authorŞahin, Seval
dc.date.accessioned2015-11-09T16:36:43Z
dc.date.available2015-11-09T16:36:43Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11421/5173
dc.descriptionTez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesien_US
dc.descriptionAnadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionKayıt no: 1036802en_US
dc.description.abstractMoleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal kalitesine ve örnek yüzeyine etkisi incelenmiştir. Büyütme sonrasında uygulanan soğutma sürecinde kullanılan Sb akı miktarının ve Sb akısının sonlandırıldığı alttaş sıcaklık değerinin epikatmanların yüzeylerinde önemli etkileri olduğu belirlendi. Ayrıca, epikatman yüzey kalitesinin aygıt haline getirilme sürecinde tanımlanan mesa yapılarının aşınma profillerine etkisi olduğu tespit edildi ve bu sorun için çözüm üretildi.en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherAnadolu Üniversitesien_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectGalyum arsenür yarıiletkenleren_US
dc.subjectMoleküler demet epiteksien_US
dc.titleGaSb alttaş üzerine kaliteli GaSb Epi-katmanlarınbütülmesi ve karakterizasyonuen_US
dc.typemasterThesisen_US
dc.contributor.departmentFen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.identifier.startpageXII, 72 y. : resim + 1 CD-ROM.en_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US


Bu öğenin dosyaları:

Thumbnail

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster