Nitrat bazlı yarıiletken nanoyapılarda kapasitans-voltaj ölçümü

Abstract

Bu tezde oda sıcaklığında InN veGa?-xInxNyAs?-y örneklerde kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans frekans (C-f) ölçümleriyapıldı.Deneylerdekullanılan örneklerMolecular Beam Epitaxy (MBE) büyütme sistemi ile, Crete Üniversitesi (Yunanistan) ve LAAS-CNRS (Fransa) tarafından büyütüldü. Crete Üniversitesi’nde büyütülen InN örnekler, InN tabaka kalınlığı 1,08 ?m, 2,07 ?m ve 4,7 ?m olan hacimli (bulk) örneklerdir. LAAS-CNRS tarafından üretilen Ga?-xInxNyAs?-y kuantum kuyu örnekleri , nitrür oranı %1 ve %0.4 olan katkısız örnek, Si katkılı n-tipi (nitrür oranı % 1.5) ve Be katkılı p-tipi (nitrür oranı %1.5) örneklerdir. Kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri 1MHz frekans altında yapıldı ve elde edilen verilerle derinliğe bağlı olarak taşıyıcı konsantrasyonları elde edildi. Kapasitans frekans (C-f) ölçümleri farklı gerilimler uygulanarak gerçekleştirildi. Bu ölçümlerle örneklerin elektriksel özellikleri incelendi.