| dc.description.abstract | Çinko(II)oksit (ZnO) saydam ve iletkenlik özellikler gösteren, oda koşullarında bant genişliği 3,37 eV ve 60 meV aktivasyon enerjisine sahip n-tipi bir yarıiletkendir. Birçok farklı nano malzeme arasında, nano yapıdaki ZnO yüksek yüzey alanına ve optik olarak saydam bir yapıya sahip olması, toksik olmaması, biyo-uyumlu, kimyasal ve fotokimyasal kararlı, yüksek elektron iletim özelliğine ve elektrokimyasal aktiflikliğe sahip olmasından dolayı özel bir öneme sahiptirZnO ultraviyole emisyon diyotlarında, piezoelektrik malzemelerde, sensörlerde, yüksek sıcaklık heterojen katalizörlerde (Cu/ZnO ya da CuO/ZnO/Al?O?), fotovoltaik hücrelerde, elektro optik anahtar ve hidrojen depolama aletlerinde gelecek vaat eden bir malzemedir. Çinko(II) oksit eldesi için literatürde birçok sentez yöntemi bulunmaktadır. Literatürde var olan bu sentez yöntemleri; yüksek sıcaklık ve basınç gibi yüksek enerji gerektiren deneysel parametreler içermektedir. Bu da sentezin maliyetini arttırmaktadır. Çinko gliserat, ZnGly, nanoteknoloji, kozmetik ve dermatolojik uygulamalar için son zamanlarda oldukça dikkat çekmiştir. ZnGly, ilaç ve kozmetik sektöründe bugün nanoteknolojinin en büyük ticari hamileri arasında yer almaktadır. Bu çalışmada, çinko metali kullanılarak uygun çözücü ve elektrolit ortamlarında elektrokimyasal olarak tek basamakta, saf ZnO ve ZnGly maddeleri sentezlenmiştir. Sentez sonrası ısıl bir işleme ihtiyaç duyulmadığı için, diğer sentez yöntemlerinden daha basit ve ucuzdur. Ayrıca, deneysel parametrelerin (gerilim, süre, sıcaklık vb.) oldukça kolay kontrol edilebilmesiyle, farklı boyut ve şekillerde ZnO ve ZnGly maddelerinin sentezlenmesi hedeflenmiştir. | en_US |
